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真空速凝炉试用范围及特性
发布时间:2017-10-27   浏览:5444次

  真空速凝炉适用于科研和生产部门对镍基及其特殊钢、精密合金、高温合金、稀土金属、活泼金属、铜及铜合金、储氢材料、钕铁硼、磁性材料等在真空或保护气氛下进行熔炼和浇铸。

  真空速凝炉(又名甩带炉或甩片炉)是利用真空感应熔炼的方法,把坩埚封闭在真空室中,利用电磁感应产生的涡流热做热源,在真空或惰性气体状态下把合金原料进行脱气、调质、合成、融化并通过坩埚倾炉系统浇铸,经过中间包在水冷辊上急速凝固后,再在水冷盘上进行慢速降温,把合金变成30°C左右,且大小薄厚均匀的合金薄片的一种电热设备。真空速凝炉已成为制造合金薄片的生产专用熔炼设备,在钕铁硼磁材的生产中可有效地减少ɑ-Fe生成。

  性能特点:

  1. 性价比高。

  2. 采用多重安全保障。

  3. 通过PLC实现全自动化控制、实时监控、全中文操作系统、全触摸屏工作环境,操作简洁。

  4. 生产的片状产品厚度均匀、结晶效果好,合格品率达到98%以上。

  5. 熔炼量大、产量高、稳定性好,为提高生产效率提供了保障。

  洛阳八佳电气科技股份有限公司***的高温热处理炉、真空速凝炉、熔盐电解炉及气相沉积炉厂家;是一家集研发、生产真空熔炼、烧结设备,感应加热电控设备及大功率半导体元器件于一体的民营股份制企业;好的质量才能保证您的使用效果,***的团队随时恭候您的选购。

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气相沉积炉CVD和PVD在性能上有何区别?

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气相沉积炉CVD和PVD在性能上有何区别?气相沉积技术作为现代材料科学领域的重要分支,在微电子、光电子、机械制造等多个领域都有着广泛的应用。其中,化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)作为两种主要的薄膜沉积技术,各自具有独特的性能特点和应用优势。气相沉积炉厂家洛阳八佳电气将从多个维度对CVD和PVD在气相沉积炉中的性能区别进行深入探讨。 一、工作原理与工艺过程CVD技术是通过将气态或蒸汽态的物质引入反应室,在气相或气固界面上发生化学反应生成固态沉积物。这一过程通常在高温下进行,利用化学反应物在基板表面的流动特性,实现薄膜的均匀、高度保形沉积。而PVD技术则是通过物理方法,如蒸发、溅射等,使固体材料在真空条件下汽化成气态,进而凝结成薄膜沉积在基材表面。 二、薄膜均匀性与质量控制CVD工艺由于化学反应发生在基板表面,能够利用气体的流动特性,在不规则形状的表面上构建均匀、高度保形的薄膜。这使得CVD在制备复杂形状和大面积基片的薄膜时具有显著优势,能够实现较好的薄膜均匀性。相比之下,PVD工艺在薄膜均匀性方面可能稍逊一筹,尤其是在处理大面积基片时,可能存在厚度不均匀的情况。 三、生长速率与生产效率CVD工艺具有较高的生长速率,适合大面积薄膜的快速制备。这一特点使得CVD在批量生产中具有显著优势,能够通过规模经济节省大量成本。而PVD工艺的生长速率相对较慢,更适合小规模生产。然而,随着技术的不断进步,PVD工艺的生长速率也在不断提升,逐渐满足了更多领域的需求。 四、设备复杂性与维护成本CVD设备结构较为复杂,操作参数众多,维护成本相对较高。同时,由于CVD过程中涉及高温和化学反应,对设备的耐高温和耐腐蚀性能提出了较高要求。相比之下,PVD设备结构相对简单,操作参数少,易于控制和维护,适合小规模生产。此外,PVD工艺对环境的影响较小,更加环保。 五、应用领域与材料选择CVD工艺由于能够实现复杂化合物薄膜的制备,适用于对薄膜均匀性、复杂性和生长速率要求较高的领域,如半导体器件制备、光电子器件等。而PVD工艺则适用于对成本、易操作性和中小规模生产需求较为突出的场景,如金属涂层、装饰膜等。此外,PVD工艺在制备高纯度金属薄膜方面也具有独特优势。 六、总结与展望综上所述,CVD和PVD在气相沉积炉中的性能存在显著区别。CVD工艺在薄膜均匀性、生长速率和复杂化合物薄膜制备方面具有优势,适用于大规模生产和高端应用领域;而PVD工艺在设备简单性、成本控制和环保方面具有优势,适用于中小规模生产和特定应用场景。展望未来,随着科技的不断进步和产业需求的不断变化,CVD和PVD技术将不断发展和完善。通过技术创新和工艺优化,这两种技术有望在更多领域发挥重要作用,推动相关产业的持续发展。