行业动态

聚焦行业动态,洞悉行业发展

真空烧结炉厂家教你如何根据不同环境情况计算抽气时间
发布时间:2018-08-03   浏览:2954次

  根据真空系统的使用目的而决定所需的真空度和抽气时间,然后选择合适的真空泵。真空烧结炉厂家介绍不同真空范围内的抽气时间计算。

  1、大气压-低真空领域的抽气时间计算

  这里所指的低真空领域,是指真空度在100 KPa至0.2 KPa,低真空领域真空腔体和泵的连接管内,气体分子是黏性流时,抽气时间可以通过初期压强p1、到达压强p2、抽气速度S和容积V(含配管)来计算。

  图片1.jpg

  式中 p1———初期压强(大气压)[Pa];

  p2———到达压强[Pa];

  t———抽气时间[min];

  V———容积[L];

  Se———实际抽气速度[L/min]。

  真空烧结炉厂家提醒用户,考虑到导管和阀门的瓶颈效应,实际抽气速度大致可以估算为理论抽气速度的80%。

  2、中真空领域的抽气时间计算

  这里所指的高真空至超高真空领域,是指真空度在200 Pa 至 0.2Pa之间,中真空领域导管内的气体分子,处于黏性流和分子流的中间状态,不能单纯地像低真空或下面第三章节讲解的高真空那样简单地计算。一般情况下,通过两种方式分别计算抽气时间,然后取计算值较大的结果。

  真空抽气要考虑的要素:

  (1)到达真空度;

  (2)抽气速度;

  (3)导通率;

  (4)实际抽气速度;

  (5)气体放出率;

  (6)漏率。

  3、高真空-超高真空领域的抽气时间计算

  在此,八佳真空烧结炉的技术人员表示,这里所指的高真空至超高真空领域,是指真空度在0.2Pa以下,对于高真空领域,要充分考虑容器壁以及容器内物体的气体放出,因此,抽气时间和抽气速度的计算方法和低真空领域不同。

  图片2.jpg

  式中 p(t)———到达压强;

  Se———实际抽气速度;

  Ql———腔体漏气量;

  Qg(t)———腔体内部放出气体量;

  p0———初期压强。

  气体的放出量Qg(t)随着时间t而减少。计算开始时,假定一个抽气时间,根据当时的放气量来求得到达的真空度。如果计算结果p(t)和所需的真空度不一致,则重新假定时间,根据新假设时间的气体放出量再次计算。不断重复,终让p(t)在所需的真空范围内。

  真空烧结炉厂家的技术人员表示,高真空领域的抽气时间计算远比低真空领域复杂。真空腔体的内表面经过酒精清洗和150~200℃烘烤处理的两种情况下,后者的气体放出会减少10%左右,因此使用同样的抽气泵所能到达的真空度也会更高一些。

  真空腔体内的部件形状和材质也极大地影响到达的真空度和抽气时间。如果使用了树脂类材料,则到达的真空度会比单纯考虑金属表面的气体放出要差2~3个数量级。内部使用螺钉时,螺纹部残留的气体随着抽气时间缓慢放出。为了加速真空烧结炉螺纹部的气体放出,要在螺钉中心穿孔,或在螺纹侧面开一个出气孔。因此,内部构造越复杂,影响真空的因素就越多,要获得高真空,设计上就更需要经验。


免责声明:本站部分图片和文字来源于网络收集整理,仅供学习交流,版权归原作者所有,并不代表我站观点。本站将不承担任何法律责任,如果有侵犯到您的权利,请及时联系我们删除。

相关推荐

26 August 2024
气相沉积炉在微电子制造中的核心作用

气相沉积炉在微电子制造中的核心作用

  气相沉积炉在微电子制造中的核心作用  随着科技的飞速发展,微电子制造技术已成为现代社会不可或缺的一部分。其中,气相沉积炉作为微电子制造领域的关键设备,发挥着举足轻重的作用。气相沉积炉厂家八佳电气将深入探讨气相沉积炉在微电子制造中的核心作用,以期进一步了解其在推动微电子行业发展中的重要意义。  一、气相沉积炉的基本原理与特点  气相沉积炉是一种利用气相反应在固体表面沉积薄膜的设备。其基本原理是将所需材料的气态原子或分子通过一定的物理或化学过程,沉积在基体表面形成薄膜。气相沉积炉具有沉积速率高、薄膜均匀性好、可制备多种材料等优点,因此在微电子制造领域得到了广泛应用。  二、气相沉积炉在微电子制造中的应用  制备薄膜材料  微电子器件的制造过程中,往往需要制备各种薄膜材料,如金属薄膜、绝缘薄膜、半导体薄膜等。气相沉积炉能够通过精确控制沉积条件,制备出高质量、高性能的薄膜材料,满足微电子器件的性能需求。  制备纳米材料  纳米材料在微电子领域具有广泛的应用前景。气相沉积炉能够制备出纳米尺度的薄膜、颗粒和线等材料,为微电子器件的小型化、高性能化提供了有力支持。  制备多层结构与复合材料  微电子器件往往需要多层结构和复合材料的支撑。气相沉积炉能够在同一基体上连续沉积多种材料,形成具有特定功能的多层结构和复合材料,为微电子器件的集成化和多功能化提供了可能。  三、气相沉积炉对微电子制造的影响  提高器件性能  气相沉积炉制备的薄膜材料具有优异的电学、光学和机械性能,能够有效提高微电子器件的性能。例如,通过气相沉积炉制备的金属薄膜可以提高器件的导电性能,绝缘薄膜则可以增强器件的绝缘性能。  推动微电子制造技术创新  气相沉积炉的应用不断推动着微电子制造技术的创新。随着气相沉积炉技术的不断发展,新的沉积方法、新材料和新工艺不断涌现,为微电子制造提供了更多的可能性。  促进微电子产业发展  气相沉积炉作为微电子制造的关键设备,其技术进步和应用推广对于微电子产业的发展具有重要意义。随着气相沉积炉在微电子制造中的广泛应用,微电子产业的规模不断扩大,技术水平不断提高,为经济社会发展做出了重要贡献。  四、结语  综上所述,气相沉积炉在微电子制造中发挥着核心作用。它不仅能够制备高质量、高性能的薄膜材料和纳米材料,还能够实现多层结构和复合材料的制备,为微电子器件的性能提升和制造技术创新提供了有力支持。随着微电子产业的不断发展,气相沉积炉的应用前景将更加广阔。因此,我们应继续加大对气相沉积炉技术的研发和应用力度,推动微电子制造技术的不断进步和发展。